Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
5

Hot carrier induced device degradation in RF-nMOSFET's

Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 260 KB
english, 1998
16

Digital Government Worldwide

Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 137 KB
english, 2005
20

The electrolytic decomposition mechanism of ammonia to nitrogen at an IrO2 anode

Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 657 KB
english, 2005
26

Strained Si engineering for nanoscale MOSFETs

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.10 MB
english, 2006
27

Piezoelectric ultrasonic motor by co-extrusion process

Рік:
2005
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 2005
33

Effects of device layout on the drain breakdown voltages in MuGFETs

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 704 KB
english, 2011
38

Electrochemical conversion characteristics of ammonia to nitrogen

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 482 KB
english, 2006
41

A comparative study on hot carrier effects in inversion-mode and junctionless MuGFETs

Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.54 MB
english, 2013